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三星2026年Q3再提DRAM价格,最高涨20%,终端成本承压

三星电子宣布,星年计划于2026年第三季度对动态随机存取存储器(DRAM)产品启动新一轮价格上调,再终端最高涨幅预计可达20%。格最高涨此举标志着三星今年第三次推动DRAM价格上涨,成本承压进一步巩固了存储市场的星年强势定价权。

回顾今年行情,再终端DRAM平均售价呈现强劲上涨态势:第一季度环比涨幅高达约90%,格最高涨第二季度继续攀升50%至60%。成本承压尽管第三季度涨幅较前两个季度有所收窄,星年但鉴于当前价格已处于历史高位,再终端此次调价依然被视为显著的格最高涨上行信号。受产能瓶颈制约,成本承压面向服务器数据中心及移动终端的星年低功耗DRAM将成为本次涨价的重灾区,预期涨幅有望突破20%。再终端

存储芯片价格的格最高涨持续飙升,正加速向下游应用领域传导成本压力。智能手机、个人电脑(PC)及汽车电子等产业面临日益严峻的成本负担。为应对这一局面,部分头部终端厂商已在第三季度提前锁定旗舰机型所需的芯片供应,以此暂时缓解短期内的成本冲击。然而,这种“提前备货”策略仅具过渡性质。预计2026年第四季度及2027年第一季度发布的新款终端设备,将直接承受本轮涨价带来的成本重压,终端产品售价上调已成为大概率事件。

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